时间：2025/7/10 21:07:38
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PST73125BETV 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，适用于多种开关和负载驱动应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），适合表面贴装工艺，广泛应用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：48A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：47nC
开关时间：ton=19ns, toff=33ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
PST73125BETV 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少导通损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，适合高功率密度的应用场景。
3. 快速开关性能，有效降低开关损耗。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛环境下的可靠性。
5. 采用无铅设计，符合环保要求。
6. 封装具备良好的热性能，有助于散热管理。
PST73125BETV 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子 - 如发动机控制单元 (ECU)、电动助力转向系统 (EPS) 和制动系统。
2. 工业自动化 - 包括电机驱动、逆变器和不间断电源 (UPS)。
3. 消费类电子产品 - 例如笔记本电脑适配器和智能手机快速充电器。
4. 电信设备 - 如基站功率转换模块。
5. LED 照明驱动电路。
其出色的电气特性和可靠性使其成为这些应用的理想选择。
PST73125BETL, IRF7739TRPBF, FDP5500NL
