AQV252是一款由松下(Panasonic)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景中。AQV252以其低导通电阻和高击穿电压为特点,能够在大电流条件下提供高效的性能表现。
该芯片具有较高的耐用性和稳定性,适合在多种工业和消费电子领域中使用。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:18A
脉冲漏极电流:36A
导通电阻:1.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:140W
结温范围:-55℃至+175℃
1. 低导通电阻:AQV252的导通电阻仅为1.9mΩ,能够显著降低功率损耗,提升系统效率。
2. 高击穿电压:60V的额定漏源电压使其能够承受较高的工作电压。
3. 大电流能力:连续漏极电流高达18A,适用于大功率应用。
4. 快速开关速度:由于其内部结构优化,AQV252具备快速的开关响应时间,减少了开关损耗。
5. 稳定性与可靠性:芯片设计充分考虑了热稳定性和电气耐久性,能够在极端环境下长时间运行。
1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器和AC-DC适配器中,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动:适用于直流无刷电机(BLDC)和其他类型的电机控制电路。
3. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中发挥重要作用。
4. 负载切换:用于保护电路中的负载切换功能。
5. 工业自动化:支持各类工业设备中的功率控制需求。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP5500