时间：2025/8/6 0:21:09
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IXFH16N90是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司生产。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于高功率和高频率的应用场景。该MOSFET封装形式为TO-247，便于散热和安装。IXFH16N90常用于电源转换器、电机驱动、逆变器以及各种工业控制设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：900V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A（在25°C）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大）
阈值电压(Vgs(th))：3V至5V
IXFH16N90具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（900V）使其能够承受较大的电压应力，适用于高压电源系统。其次，低导通电阻（最大0.38Ω）可以减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外部电路元件的尺寸，提高系统功率密度。器件的TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率环境下稳定运行。最后，IXFH16N90的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路，简化了设计和应用。
IXFH16N90广泛应用于多种高功率和高频率的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动控制、照明系统（如高强度放电灯HID）以及工业自动化设备。由于其高可靠性和优异的性能，IXFH16N90也适用于需要高效率和高稳定性的场合，例如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
IXFH16N90P、IXFH16N80、IXFH18N90、IXFH20N90
