类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23 (SC-59)
　　制造商：Diodes Incorporated
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：115mA（TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：500mA
　　导通电阻RDS(on)：典型值4.5Ω（VGS=10V, ID=100mA）
　　导通电阻RDS(on)：典型值5.3Ω（VGS=4.5V, ID=100mA）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.4V（范围0.8V~2.4V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值4.8nC（VDS=30V, ID=100mA）
　　输入电容（Ciss）：典型值25pF（VDS=30V, VGS=0V）
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管恢复问题（因主要用作开关）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻θJA：约350°C/W
　　极性：N-Channel Enhancement Mode

2N7002W-7采用了先进的硅基沟道MOSFET工艺，具备优异的开关特性和稳定的电气参数表现。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=10V条件下RDS(on)典型值仅为4.5Ω，这使得它在小电流开关应用中功耗极低，有助于提高系统效率并减少发热。即使在较低的栅极驱动电压如4.5V下，其导通电阻仍能保持在5.3Ω左右，体现出良好的逻辑电平兼容性，特别适合与微控制器、逻辑IC等直接连接而无需额外电平转换或驱动电路。
　　该器件的阈值电压范围为0.8V~2.4V，典型值为1.4V，这意味着它可以在低至约1.5V的控制信号下开始导通，进一步增强了其在电池供电设备中的适用性。例如，在手持仪器、IoT节点或嵌入式传感器模块中，当主控MCU输出3.3V或更低电压时，2N7002W-7仍能实现高效开关操作。此外，其输入电容Ciss仅为25pF左右，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量较小，有利于降低驱动电路的负担，并提升整体响应速度。
　　得益于SOT-23小型封装，2N7002W-7占用PCB面积非常小，非常适合高密度布局需求的应用场景，如智能手机外围电路、可穿戴设备、智能家居模块等。虽然其最大连续漏极电流仅为115mA，但在许多信号切换、LED指示灯控制、继电器驱动或电源使能控制等场合已完全足够。同时，该器件具有较高的漏源击穿电压（60V），提供了足够的安全裕度，可用于多种不同电压等级的系统中，包括12V或24V工业控制系统中的低功耗负载切换。
　　另一个显著特点是其良好的热稳定性与可靠性。器件可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，适用于严苛环境下的工业、汽车电子及通信设备。尽管其封装热阻较高（约350°C/W），但通过合理布板（如增加铜箔散热区）可以有效改善散热性能。此外，该MOSFET无显著的体二极管反向恢复问题，减少了开关过程中的尖峰噪声，提升了EMI性能。整体而言，2N7002W-7是一款性价比高、通用性强的小信号MOSFET，是现代电子设计中常用的分立元件之一。

2N7002W-7广泛应用于各类低功率开关和信号控制电路中。常见用途包括微控制器GPIO扩展驱动、LED开关控制、电源使能信号传递、继电器或蜂鸣器驱动缓冲级、模拟开关前置驱动、电池管理系统中的充放电路径控制、多电源轨之间的隔离切换等。由于其体积小巧且易于集成，也常用于便携式消费电子产品如手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等内部的电源管理单元。此外，在工业自动化设备、网络通信模块、传感器接口电路以及家用电器控制板中也有大量应用。其逻辑电平兼容性使其成为连接数字逻辑与外部负载的理想桥梁。

FDN340P