时间：2025/8/9 1:08:43
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PSND30E/04 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。这款晶体管被设计用于高功率和高频率应用，例如在音频放大器、开关电源以及射频（RF）电路中。该器件具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适用于需要高效能的电子系统。
类型：NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极电流（Ic）：1.5A
最大功耗（Ptot）：25W
频率响应（fT）：100MHz
封装类型：TO-220
增益带宽积：100MHz
工作温度范围：-55°C 至 150°C
PSND30E/04 晶体管具备多项优良特性，使其适用于多种高性能电子电路。首先，其高频率响应（100MHz）使得该器件能够在射频放大和高速开关应用中表现优异。其次，晶体管的最大集电极电流为1.5A，支持较高功率的负载驱动能力，适用于功率放大器和开关电路。此外，该器件的最大功耗为25W，并采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够有效应对高功率工作条件下的热量积累。PSND30E/04 还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C 至 150°C）。其封装形式也便于安装在散热片上，进一步提升散热效率。最后，该晶体管的集电极-发射极击穿电压为30V，提供了较高的电压耐受能力，适用于中高功率电子设备的设计。
PSND30E/04 主要应用于需要高频响应和较高功率处理能力的电子电路中。常见的应用包括音频功率放大器、开关电源中的功率开关元件、射频（RF）放大器、高频振荡器以及工业控制电路中的高功率驱动模块。该晶体管的高频率特性和良好散热性能使其在无线通信设备、音频设备、电源管理系统以及自动化控制系统中都有广泛的应用。
TIP31C, 2N6259, BD139
