类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：120 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：90 A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2 mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）
　　功率耗散（Pd）：100 W

RLSD92Q121CC 具有出色的电气性能和热稳定性，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构，提高了电流密度并减少了开关损耗。此外，RLSD92Q121CC 具有良好的热管理性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。
　　该 MOSFET 还具备优异的抗雪崩能力和高耐用性，适用于在复杂电磁环境中工作的应用。其 TO-263 封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产和良好的散热性能。RLSD92Q121CC 的栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制器的驱动电压要求，提升了系统设计的灵活性。
　　器件的可靠性经过严格测试，符合 AEC-Q101 汽车电子标准，适用于汽车应用。此外，其高电流能力和良好的热性能使其在高频开关应用中表现出色。

RLSD92Q121CC 主要应用于高效能电源管理系统，包括同步整流 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动汽车和充电设备。此外，该器件也适用于工业自动化控制系统、负载开关、逆变器和不间断电源（UPS）等需要高电流和高效率的场景。由于其符合汽车电子标准，RLSD92Q121CC 在汽车电子领域中被广泛使用，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等。

SiM4686EAY-T1-GE3, IPB096N15N3 G, FDBL92Q121KL