TMT15115 时间：2025/8/15 20:20:56 阅读：11

TMT15115 是一款由 Texas Instruments（TI）推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率、高效率的电源管理应用。该器件设计用于在高电压和大电流条件下提供卓越的性能，广泛应用于 DC-DC 转换器、电源供应器、电机控制以及各种开关电源设备中。TMT15115 采用了先进的封装技术，确保了在高功率运行下的可靠性和热管理能力。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 5.8mΩ（在 VGS = 10V）
　　最大功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

TMT15115 以其低导通电阻而闻名，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高整体系统效率。其低 RDS(on) 值确保了在导通状态下，电压降非常小，从而减少了发热和能量浪费。此外，该器件具备良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定运行。TMT15115 的栅极驱动电压范围较宽，支持从 4.5V 到 20V 的输入，因此适用于多种驱动电路配置。此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，适用于高频开关应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的电源设计。
　　TMT15115 还具备过热保护和过流保护功能，增强了系统的可靠性。在发生过载或短路的情况下，MOSFET 能够自动降低导通能力，防止损坏并延长使用寿命。其封装设计有助于高效的热量散发，例如使用了具有低热阻的 PowerPAK 封装技术，使得该器件能够在高负载条件下保持较低的工作温度。