时间：2025/9/20 23:09:18
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TND301S-TL-E是一款由Taiwan Semiconductor（台湾半导体）生产的N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用。该器件封装在小型SOT-23（SC-70）封装中，具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性，适合空间受限的便携式电子产品设计。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达1.9A，能够满足大多数低功率电源管理场景的需求。TND301S-TL-E在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了系统整体能效。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，无卤素，支持绿色环保制造要求。由于其小尺寸封装和高性能参数，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线耳机、电池管理系统以及其他需要高效能、小体积功率开关的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
工作电压：30V
最大连续漏极电流：1.9A
导通电阻Rds(on)：55mΩ @ Vgs=10V
导通电阻Rds(on)：75mΩ @ Vgs=4.5V
阈值电压Vgs(th)：典型值1.2V，最小值0.8V，最大值2.0V
栅极电荷Qg：5.5nC @ Vds=15V, Id=1.9A
输入电容Ciss：60pF @ Vds=15V
功率耗散Pd：300mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23 (SC-70)
TND301S-TL-E采用先进的沟槽栅极工艺制造，具备优异的导通性能和开关特性，能够在低电压控制条件下实现高效的功率切换。
其低导通电阻（Rds(on)仅为55mΩ @ Vgs=10V）有效减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
该器件在Vgs=4.5V时仍能保持较低的Rds(on)（75mΩ），说明其在逻辑电平驱动下依然具备良好性能，兼容现代微控制器和数字IC的输出电平，无需额外电平转换电路即可直接驱动。
快速的开关响应得益于低栅极电荷（Qg=5.5nC）和低输入电容（Ciss=60pF），这使得器件在高频开关应用中表现出色，如同步整流、开关稳压器等，有助于减小外围滤波元件尺寸并提升系统功率密度。
热稳定性方面，TND301S-TL-E具有高达+150°C的最大结温，确保在高温环境下仍能可靠运行；同时其300mW的功率耗散能力在SOT-23封装中属于较高水平，配合良好的PCB布局可进一步提升散热效果。
器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗浪涌电流能力，在瞬态负载变化或异常工况下提供一定的保护作用，增强了系统的鲁棒性。
TND301S-TL-E的小型化SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且支持自动化贴片生产，适用于高密度表面贴装工艺，满足消费电子对小型化和高集成度的要求。
此外，该产品通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环试验，确保长期使用的稳定性和一致性。
TND301S-TL-E广泛应用于各类低功率开关电路中，尤其适合便携式电子设备中的电源管理模块。
常见用途包括锂电池保护电路中的充放电开关控制，作为高端或低端开关用于DC-DC升压/降压转换器中实现能量传输路径的通断控制，以及在LDO或电压调节器中作为旁路或使能开关使用。
在USB电源开关、移动电源输出控制、LED背光驱动、电机驱动电路和传感器电源管理等领域也有广泛应用。
由于其快速开关特性和低静态功耗，也常被用于需要频繁启停的节能型设备中，例如智能手表、TWS耳机、健康监测设备等可穿戴产品。
此外，该器件还可用于信号切换、热插拔保护电路以及各类需要电子开关替代机械继电器的场合，提供更长寿命和更高可靠性。
AO3400, Si2301DS, FDN301N, DMG3415U, BSS138
