类型：齐纳二极管
　　稳压电压：5.6V
　　最大耗散功率：300mW
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　最大齐纳电流：200mA
　　最大反向漏电流：100nA（@ Vr=2V）
　　齐纳阻抗（Zzt）：90Ω（最大）

LBZ84C5V6LT1G 齐纳二极管具备多项优异特性，适用于精密电压参考和调节应用。其5.6V的稳压电压在众多模拟和数字电路中是一个标准参考电压值，具有良好的稳定性和温度系数。该器件的最大耗散功率为300mW，能够在中等功率应用中提供可靠的稳压性能。SOT-23 小型封装不仅节省空间，还便于自动化装配，提高了生产效率。
　　该器件的齐纳阻抗较低，通常小于90Ω，有助于在负载变化时维持稳定的输出电压。此外，其反向漏电流极低，在2V反向电压下最大仅为100nA，这对于低功耗和高精度电路尤为重要。LBZ84C5V6LT1G 的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保了在极端环境下的稳定运行。
　　ON Semiconductor 的 LBZ84C 系列采用先进的硅平面技术制造，确保了器件的高可靠性和一致性。该系列器件广泛用于各种电子设备，包括电源管理电路、信号调节电路、电池供电设备等。LBZ84C5V6LT1G 还具有良好的动态阻抗特性，使其在电压波动较大的环境中依然保持出色的稳压性能。

LBZ84C5V6LT1G 主要用于需要5.6V稳定参考电压的场合。常见应用包括电源稳压电路、电压参考源、电池充电器、ADC/DAC 参考电压、过压保护电路、模拟信号调理电路等。由于其小型封装和高性能，该器件也广泛用于便携式电子设备、工业控制系统、汽车电子系统和消费类电子产品中。
　　在电源管理方面，LBZ84C5V6LT1G 可作为基准电压用于反馈控制，确保输出电压的稳定性。在电池供电设备中，它可以用于监测电池电压并提供低电量警告。在信号处理电路中，该器件可用于提供稳定的参考电压，以确保模拟信号的准确性和一致性。
　　此外，LBZ84C5V6LT1G 还可用于保护敏感电子元件免受电压浪涌和静电放电（ESD）的影响。其低漏电流和高稳定性使其成为高精度测量仪器和传感器电路中的理想选择。

BZX84C5V6, MM3Z5V6, MMSZ5231B, 1N4734A