时间：2025/5/27 10:59:37
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PSMNR70-40SSHJ 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263-3 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其主要用途包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等领域。
该电压为 70V，连续漏极电流高达 40A，能够适应广泛的工业及消费电子应用需求。
最大漏源极电压：70V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷（典型值）：88nC
总功耗：210W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
PSMNR70-40SSHJ 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高效率。
2. 高开关速度，适合高频应用场合。
3. 较大的漏极电流处理能力，确保在高负载条件下稳定运行。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下表现优异。
5. TO-263-3 封装设计，便于安装和散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
PSMNR70-40SSHJ 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率转换模块。
2. 电池管理系统中的负载开关。
3. 各类电机驱动电路，如步进电机和无刷直流电机。
4. DC-DC 转换器的设计与实现。
5. 通信设备中的电源管理和信号调节。
6. 工业自动化设备中的功率控制部分。
PSMN70-40YLH, IRFZ44N, FDP5800
