时间：2025/11/7 21:38:13
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RLZTE-117.5C是一种齐纳二极管（Zener Diode），属于表面贴装型小功率稳压器件，常用于电子电路中的电压参考和稳压应用。该型号由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产，是RLZTE系列中的一员，采用SOD-523小型封装，具有较小的尺寸和较高的稳定性，适用于便携式设备、电源管理单元、信号调理电路等对空间要求严格的场合。其中，'117.5'表示其标称齐纳电压为7.5V，'C'可能代表特定的电压容差等级或产品批次标识。该器件通过反向击穿特性实现稳定的电压输出，在规定的电流范围内可维持电压基本不变，从而为敏感电路提供可靠的电压基准。RLZTE-117.5C具备良好的温度稳定性和长期可靠性，适合在工业、消费类及通信设备中广泛应用。
类型：齐纳二极管
品牌：Rohm
封装形式：SOD-523
标称齐纳电压：7.5V
齐纳电压容差：±5%
最大齐纳电压：7.88V
最小齐纳电压：7.13V
测试电流：5mA
最大耗散功率：200mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻：625°C/W（结到环境）
RLZTE-117.5C具备优异的电压稳定性和温度特性，其核心功能在于利用PN结反向击穿时的恒定电压特性来提供精确的参考电压。该器件在5mA的测试电流下可保证7.5V的标称齐纳电压，且电压偏差控制在±5%以内，确保了在多种应用场景下的精度需求。SOD-523封装使其拥有极小的物理尺寸（约1.6mm × 1.0mm × 0.85mm），非常适合高密度贴装的印刷电路板设计，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的产品。该器件的最大功耗为200mW，能够在有限的散热条件下安全运行，并支持从-55°C到+150°C的宽温工作范围，展现出出色的环境适应能力。
此外，RLZTE-117.5C具有较低的动态电阻，有助于减小负载变化引起的输出电压波动，提高系统的整体稳定性。其结构设计优化了热传导路径，提升了长期工作的可靠性和寿命。器件符合RoHS环保标准，无铅且不含有害物质，满足现代电子产品对环保与安全的要求。由于其快速响应特性和低噪声表现，该齐纳二极管也可用于模拟信号链中的电平钳位或保护电路，防止瞬态过压对后续元件造成损害。同时，该系列器件经过严格的质量控制流程，具备高良品率和一致性，适合自动化贴片生产线使用，降低制造成本并提升生产效率。
RLZTE-117.5C广泛应用于需要稳定电压参考的小信号电路中。常见用途包括电源电压监测、ADC/DAC参考源、逻辑电平转换、过压保护以及偏置电路设计。在电池供电设备中，它可用于构建简单的低压稳压系统，为传感器、微控制器或其他低功耗IC提供稳定的工作电压。在工业控制系统中，该器件可用于信号调理模块，确保输入信号在预定范围内，避免因电压漂移导致误判。此外，在通信设备中，RLZTE-117.5C可作为线路接口的保护元件，抑制静电放电（ESD）或瞬态干扰带来的影响。其小型化封装也使其成为便携式医疗设备、智能仪表和物联网终端的理想选择。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，该器件还适用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统或车内监控模块。总之，任何需要紧凑、高效且可靠的电压基准解决方案的场景均可考虑采用RLZTE-117.5C。
BZT52C7V5
