时间：2025/7/12 1:37:31
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HH18N0R7D500CT是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要应用于高频开关和功率转换场景。该型号采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及高电流承载能力等优点。其封装形式为TO-220，适合在工业控制、电源管理和电机驱动等领域使用。
该MOSFET属于N沟道增强型器件，适用于各种需要高效能功率管理的应用场合。由于其出色的电气性能和可靠性，HH18N0R7D500CT广泛用于设计紧凑且高效的电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：7A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
总功耗(Ptot)：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
HH18N0R7D500CT具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达500V的漏源电压，非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：仅0.18Ω的导通电阻可以显著降低功率损耗，提高效率。
3. 快速开关速度：得益于其优化的设计结构，开关时间短，动态性能优越。
4. 热稳定性强：能够在极端温度范围内可靠运行，适应各种恶劣工况。
5. 小型化封装：TO-220封装既保证了散热效果，又节省了PCB空间。
HH18N0R7D500CT适用于多种功率电子应用，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：作为主开关元件或同步整流器。
2. 逆变器与变频器：用于驱动电机和其他负载。
3. 工业控制：如固态继电器、电磁阀驱动等。
4. 汽车电子：例如启动马达、灯光控制系统。
5. 能量储存系统：电池充放电管理及保护电路。
IRFZ44N, STP75NF06L, FQP50N06L
