MMBD4448HTC 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极性高速开关二极管,采用小型表面贴装封装(SOT-23)。该器件由两个独立的二极管组成,适用于需要高速开关和低电容的应用场合。MMBD4448HTC 的设计使其广泛应用于数字电路、信号处理、保护电路和隔离电路等领域。
最大反向电压(VRRM):100V
最大平均整流电流(IF(AV)):300mA
最大正向压降(VF):1.25V @ 100mA
最大反向漏电流(IR):100nA @ 100V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
结电容(Cj):4pF @ 0V
封装形式:SOT-23
MMBD4448HTC 具有多个关键特性,使其在高速开关应用中表现出色。
首先,其高速开关特性得益于低结电容(Cj)和短恢复时间(trr),使其非常适合用于高频信号处理和数字电路中的快速切换操作。
其次,该器件的双二极管结构设计允许两个独立的开关功能集成在一个封装中,节省了电路板空间并简化了电路设计。
此外,MMBD4448HTC 具有较高的反向耐压能力(VRRM = 100V),能够在较高电压环境下稳定工作,同时其正向电流能力(IF(AV) = 300mA)也足以满足多数中低功率应用的需求。
该器件的封装采用 SOT-23 小型化设计,适合表面贴装工艺(SMT),便于自动化生产和高密度布局。
最后,MMBD4448HTC 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具有良好的热稳定性,适用于各种工业和汽车电子应用。
MMBD4448HTC 主要应用于以下领域:
在数字电路中,该器件用于信号隔离、电压钳位和逻辑电平转换等场景,确保信号的稳定性和抗干扰能力。
在通信系统中,MMBD4448HTC 被广泛用于射频(RF)信号切换、保护电路和调制解调电路,其低电容和高速开关特性有助于提升信号传输质量。
在电源管理电路中,该器件可用于反向电压保护、电池充放电控制以及DC-DC转换器中的隔离功能。
此外,MMBD4448HTC 也常用于嵌入式系统、微控制器外围电路、传感器接口电路以及工业控制设备中的信号处理和开关控制。
由于其良好的温度特性和可靠性,MMBD4448HTC 也适用于汽车电子、航空航天和医疗设备等对稳定性要求较高的高端应用。
1N4148WS, MMBD4148, BAS70-04, BAV99