BAS31-AH 是一款常见的双高速开关二极管(Dual High-Speed Switching Diode),通常采用SOT-23封装。该器件由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产,适用于高频开关应用。BAS31-AH 包含两个独立的二极管,能够在高速开关电路中提供高效能,广泛应用于数字电路、信号整流、电压隔离和保护电路等领域。
类型:双高速开关二极管
封装:SOT-23
最大反向电压(VR):80V
平均整流电流(Io):100mA
峰值正向电流(Ifsm):500mA
反向漏电流(Ir):100nA(最大)
正向压降(Vf):1.25V(最大,If=100mA)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
BAS31-AH 具有多个显著的电气和物理特性,使其适用于多种电子应用。首先,其双二极管设计允许在单个封装中实现两个独立的高速开关功能,从而节省电路板空间并简化设计。其次,该器件的最大反向电压为80V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压应用环境。此外,BAS31-AH 的平均整流电流为100mA,峰值正向电流可达500mA,具有良好的电流处理能力。
正向压降方面,BAS31-AH 在100mA电流下的最大正向压降为1.25V,这在高速开关应用中是一个较为理想的值,有助于减少功率损耗。该器件的反向漏电流非常低,最大仅为100nA,这确保了在高阻断电压下的稳定性。同时,其工作温度范围为-55°C至+150°C,使其能够在极端温度条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
此外,BAS31-AH 采用SOT-23封装,这是一种小型表面贴装封装,便于自动化生产和高密度PCB布局。该封装还提供了良好的热稳定性和机械强度。
BAS31-AH 主要用于需要高速开关性能的电子系统中。在数字电路中,它可以用于信号隔离和电平转换,确保信号的稳定性和完整性。在通信设备中,该二极管可用于高频整流和信号检测,适用于射频(RF)应用。此外,BAS31-AH 还可用于电源管理电路中的反极性保护和电压钳位,以保护敏感的电子元件免受过电压或反向电压的损害。
在消费类电子产品中,BAS31-AH 可用于充电器、适配器和电源转换模块中的整流和保护功能。在工业控制系统中,它可用于传感器接口电路中的信号隔离和整流。由于其良好的温度特性,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、ECU模块和照明控制系统等。
此外,BAS31-AH 还可用于继电器驱动电路中的续流保护,以防止电感负载产生的反向电动势损坏开关器件。在低功耗设计中,该二极管可以用于防止电池反向放电,提高系统的可靠性和安全性。
BAS316, BAS31-04, 1N4148W