时间：2025/9/14 18:33:29
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PSMN9R8-30MLC,115 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理系统。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，能够在高频率和高负载条件下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
漏极电流(Id)：70A（最大值）
导通电阻(RDS(on))：9.8mΩ（典型值）
栅极电压(VGS)：10V
封装形式：LFPAK56（Power-SO8兼容）
工作温度范围：-55°C至175°C
PSMN9R8-30MLC,115具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。其采用的LFPAK56封装具备优良的热传导性能，使得MOSFET在高负载条件下也能保持较低的工作温度，从而提高系统稳定性与可靠性。该器件支持高电流承载能力，最大漏极电流可达70A，适用于大功率应用场景。此外，该MOSFET具备良好的栅极氧化层可靠性，能够在10V栅极电压下稳定工作，确保开关性能的一致性。
该器件还具有快速开关特性，能够适应高频开关应用，从而减小外部滤波元件的尺寸，提升系统功率密度。其雪崩能量等级较高，具备良好的抗过压和抗短路能力，能够在恶劣工况下保持稳定运行。PSMN9R8-30MLC,115的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗，提高整体能效。同时，该MOSFET的封装设计支持双面散热，进一步提升散热效率，适用于紧凑型电源设计。
PSMN9R8-30MLC,115广泛应用于各类高效电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电动车辆（如电动车控制器）、电源管理单元（PMU）以及服务器和通信设备的电源模块。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于同步整流拓扑结构中的高侧和低侧开关。此外，该器件还可用于电机驱动电路、负载开关、热插拔电源管理以及高功率LED驱动电路等应用领域。
SiR340DP-T1-GE3, SQJQ134EP-T1_GE3, PSMN1R2-30MLC,115
