时间：2025/9/15 2:15:32
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PSMN6R9-100YSFX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高效率电源转换系统和功率管理应用。该器件采用高性能的 TrenchMOS 技术，具有低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。PSMN6R9-100YSFX 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及工业控制电路等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：60A（在 Tc=25°C 下）
导通电阻（RDS(on)）：6.9mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：约 2.5V
功率耗散（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56（也称为 Power-SO8）
PSMN6R9-100YSFX 具备多项优异的电气和热性能特点。其采用的 TrenchMOS 技术使得器件在导通状态下具有极低的 RDS(on)，从而显著降低了导通损耗，提高了能效。
得益于低导通电阻和优化的封装设计，该 MOSFET 可在高电流条件下保持较低的温升，从而提升系统的稳定性和可靠性。
LFPAK56 封装不仅提供了良好的散热性能，还具备双面散热能力，有助于提高功率密度并简化 PCB 布局设计。此外，这种封装形式还具有优异的机械稳定性和抗热疲劳能力，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
该器件支持高频率开关操作，适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流电路，能够有效减小外部元件尺寸并提高转换效率。
此外，PSMN6R9-100YSFX 还具有良好的短路耐受能力和过载保护特性，适用于对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。
PSMN6R9-100YSFX 广泛应用于各类功率电子系统中。其主要应用包括但不限于：同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源管理系统、服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备以及汽车电子系统（如车载充电器和 DC-DC 转换器）等。
由于其优异的导通性能和高电流能力，该器件特别适合用于高效率、高功率密度的电源转换设计中，尤其是在需要低导通损耗和高散热性能的场合。
SiR142DP-T1-GE3, IRF3710, SQM120R100yF, PSMN7R0-100YSF
