CKC21C393FWGAC7800是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够在高频工作条件下保持出色的性能表现。
该型号属于增强型N沟道MOSFET系列,适用于需要高效能和低损耗的电子设计场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:45A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
栅极电荷:95nC
总电容:250pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
CKC21C393FWGAC7800的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低功耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力,支持高频操作,适合现代电源转换器的应用需求。
3. 强大的电流承载能力,能够适应大功率应用场景。
4. 具备优异的热稳定性,在高温环境下依然可以保持稳定的工作状态。
5. 内部集成ESD保护电路,提高了产品的可靠性和抗干扰能力。
6. 小型化的封装设计,有助于节省PCB空间并简化布局设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 负载开关
5. 电池管理系统(BMS)
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
其高效的性能和可靠性使其成为众多功率电子系统中不可或缺的关键组件。
CKC21C393FQGAC7800
IRFZ44N
FDP5580
STP45NF06L