类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：1200V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：30A
　　功耗(PD)：300W
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.15Ω
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-247

30N120 MOSFET具有多项优异的电气和热性能。其高耐压特性使其适用于高压直流和交流转换系统。漏源之间的低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高功率应用中保持稳定运行，减少过热风险。30N120采用先进的平面工艺技术制造，确保了高可靠性和长寿命。该器件还具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其TO-247封装形式便于安装散热片，提高散热效率。
　　在短路和过载情况下，30N120具备一定的耐受能力，有助于提高系统的安全性。其栅极驱动要求相对较低，兼容标准的MOSFET驱动电路，简化了外围电路设计。该器件还具备良好的抗静电能力，减少了在操作和使用过程中因静电放电导致损坏的风险。此外，30N120的结构设计优化了电场分布，降低了漏电流和开关振荡的可能性，从而提高了整体系统的稳定性。

30N120主要用于高压和高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器和光伏逆变系统。在开关电源中，它用于高效转换直流电压，满足现代电子设备对高能效和小型化的需求。在逆变器系统中，30N120可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能发电和储能系统。此外，该器件还广泛应用于工业自动化控制、电动工具和电动汽车充电设备等场景，提供稳定的功率控制和高效的能量转换。由于其优异的热管理和高频响应特性，也适用于需要快速开关操作的高频电源变换器。

IXFH30N120, IRGPC30B, FGL40N120