BAV170MYL 时间：2025/9/14 9:38:20 阅读：13

BAV170MYL 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为需要高效能和高可靠性的应用设计，广泛用于电源管理、负载开关、电机控制以及汽车电子等领域。BAV170MYL 采用先进的生产工艺，具备低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和优异的热稳定性，适用于高频率开关操作。

参数

类型：MOSFET（N 沟道）
　　漏极电流（Id）：10A
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：LFPAK56（双通道封装）

特性

BAV170MYL MOSFET 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻，典型值为 28mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用 LFPAK56 封装技术，具备出色的热性能和机械可靠性，适用于高功率密度设计。
　　该器件支持双通道配置，能够有效减少 PCB 面积和组件数量，提升系统集成度。其栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅极电压输入，适用于多种驱动电路设计。
　　在可靠性方面，BAV170MYL 具有良好的短路和过热保护能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。此外，其封装采用无铅工艺，符合 RoHS 环保标准，适合用于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品。

应用

BAV170MYL MOSFET 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率开关电路中。常见应用场景包括：电源管理系统中的负载开关控制、电机驱动电路、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、LED 照明驱动电路以及汽车电子中的各类功率控制模块。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，BAV170MYL 特别适合用于高频率开关电源和同步整流电路中，能够有效提高能量转换效率并减少发热。同时，该器件的双通道封装形式也使其在空间受限的设计中具有明显优势。