时间：2025/9/14 8:11:23
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PSMN6R5-25YLC,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高频率下高效运行。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：60A（最大值）
导通电阻 Rds(on)：6.5mΩ（最大值，@ Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
安装类型：表面贴装（SMD）
功率耗散（Ptot）：90W
PSMN6R5-25YLC,115 采用了 NXP 的先进沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。其低导通电阻特性使其在高电流应用中表现尤为出色，减少了发热并提高了可靠性。
该器件支持高达 60A 的漏极电流，在高负载条件下仍能保持稳定运行。其封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），是一种增强型功率封装，具备出色的热管理和抗机械应力能力，适用于汽车电子等高要求环境。
该 MOSFET 具有良好的栅极电荷（Qg）特性，支持快速开关操作，从而减少了开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器应用。
此外，PSMN6R5-25YLC,115 具有高可靠性，工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于严苛的工作环境，如汽车动力系统、电机控制、电池管理系统等。
其封装符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代环保电子制造流程。
PSMN6R5-25YLC,115 主要应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、起停系统、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）等。在工业控制领域，该器件可用于电机驱动器、伺服系统、电源模块和开关电源（SMPS）设计。由于其高频开关能力和低导通损耗，也非常适合用于同步整流器、负载开关和热插拔电路中。此外，该器件还可用于消费类电子产品中的高效率电源管理模块。
SiSS100N10NM-T2-GE3, IPPB60R065C7, SQJQ160EP
