STGW40V60DF 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高功率应用,具有较高的开关速度和较低的导通电阻,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等领域。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):40A
最大漏-源电压(VDS):60V
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大40mΩ(典型值约为30mΩ)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-247
功率耗散(PD):150W
STGW40V60DF 具备优异的导通性能和开关特性,其低导通电阻(RDS(on))能够显著降低系统损耗,提高能效。器件采用先进的Power MOSFET工艺制造,确保在高电流和高电压条件下稳定运行。
此外,该MOSFET具备较高的热稳定性和耐压能力,适合用于高温环境或高负载场景。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能,有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。
STGW40V60DF 还具备快速开关能力,适用于高频开关电路,如同步整流、DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统等。该器件的栅极驱动电压范围宽,兼容标准逻辑电平控制,方便与各种控制器配合使用。
由于其优异的电气特性和高可靠性,STGW40V60DF 常被用于工业电源、电动工具、电动车辆、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及各类高功率开关电路中。
STGW40V60DF 主要应用于以下领域:
1. DC-DC转换器:用于高效电源转换系统,如通信设备、服务器电源模块等。
2. 电机控制:适用于工业自动化设备中的电机驱动电路。
3. 电源管理:如开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)等。
4. 工业自动化:用于PLC控制、继电器替代、高频整流等场景。
5. 新能源设备:如太阳能逆变器、UPS不间断电源、储能系统等。
6. 电动车辆:用于车载充电器、DC-AC逆变器、电池保护电路等。
STW40NK60Z, STW40NK60M5, IRF3710, FDP40N60, FQA40N60