时间：2025/12/28 14:25:13
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PSMN6R1-30YLD是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，适用于如DC-DC转换器、电源管理模块、电池管理系统、电机驱动电路等多种高功率密度系统。PSMN6R1-30YLD采用TrenchMOS技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8兼容封装），提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺（SMT）。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大漏极电流(ID)：60A（在VGS = 10V时）
导通电阻(RDS(on))：最大6.1mΩ（在VGS = 10V时）
栅极阈值电压(VGS(th))：1V ~ 2.5V
最大功耗(PD)：80W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56（双侧散热DFN封装）
引脚数：5（包括源极多个引脚以增强电流承载能力）
PSMN6R1-30YLD具备多项高性能特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流条件下的最小功率损耗，提高了整体能效。其次，该器件采用先进的TrenchMOS技术，使沟道密度更高，从而实现更低的RDS(on)和更高的开关性能。此外，LFPAK56封装不仅提供了优异的热管理能力，还能有效降低封装寄生电感，提升高频开关应用中的性能。
该MOSFET的工作温度范围广泛（-55°C至+175°C），适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、工业自动化和电源管理系统。LFPAK56封装还具备双侧散热功能，能够通过PCB和顶部散热器同时散热，进一步提升散热效率。
此外，PSMN6R1-30YLD具有较高的短路耐受能力，增强了器件在异常工况下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（通常在4.5V至20V之间），适用于多种栅极驱动电路设计，包括使用12V或10V驱动电压的系统。
PSMN6R1-30YLD广泛应用于需要高效能、高可靠性的功率管理系统中。常见应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、电机驱动器、电源分配系统以及各种高电流负载开关电路。此外，由于其出色的热性能和高频响应能力，该器件也非常适合用于高频率开关电源（SMPS）和车载电子系统中。
PSMN5R8-30YLD, PSMN7R5-30YLD, BSC060N03LS, BSC080N03MS
