时间：2025/12/25 12:43:08
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BA80JC5T是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路以及负载驱动等场景。该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似小型化封装形式），适合对空间要求较高的便携式电子设备和高密度PCB布局设计。BA80JC5T具有低导通电阻、快速开关响应和良好的热稳定性，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。其主要特点包括高电流处理能力、优异的栅极耐压性能以及符合环保标准的无铅和RoHS兼容设计。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、电池供电设备、LED驱动电路、电机控制模块以及其他需要高效能开关元件的应用中。由于其封装小巧且电气性能稳定，BA80JC5T在消费类电子产品、工业控制设备和通信模块中得到了广泛应用。此外，该器件在设计时考虑了抗静电能力和过温保护特性，增强了在复杂电磁环境下的工作可靠性。用户在使用时需注意栅源电压的最大额定值，避免因过压导致器件损坏，并建议配合适当的驱动电路以确保最佳性能表现。
型号：BA80JC5T
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：80V
连续漏极电流（Id）：100mA
脉冲漏极电流（Id_pulse）：400mA
功耗（Pd）：200mW
栅源电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
导通电阻（Rds(on)）：典型值约6Ω @ Vgs=10V
阈值电压（Vgs(th)）：典型值约2.0V
输入电容（Ciss）：约25pF @ Vds=25V, Vgs=0V
BA80JC5T作为一款N沟道增强型MOSFET，在小信号开关应用中表现出色，具备多项关键电气与物理特性以满足现代电子系统的需求。首先，其80V的漏源击穿电压使其能够在中等电压环境下稳定运行，适用于多种直流电源转换场合，例如在电池管理系统或低压配电网络中作为开关元件使用。尽管其连续漏极电流仅为100mA，但足以驱动继电器线圈、小型指示灯、传感器模块或其他低功耗外围设备。更重要的是，该器件的导通电阻典型值约为6Ω，在Vgs=10V条件下可实现较低的导通损耗，从而减少发热并提高整体能效。
其次，BA80JC5T拥有良好的开关速度，得益于较小的寄生电容（如输入电容Ciss约为25pF），使其在高频开关操作中具备优势，适合用于脉宽调制（PWM）控制应用，如LED亮度调节或小型电机的速度控制。同时，±20V的栅源电压额定值提供了足够的驱动裕度，允许使用标准逻辑电平或专用MOSFET驱动器进行控制，提升了设计灵活性。器件的工作结温可达+150°C，表明其具备较强的热稳定性，可在较恶劣的环境温度下可靠运行。
此外，该器件采用小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，有助于降低制造成本。其符合RoHS指令且不含铅，满足当前电子产品环保法规的要求。在可靠性方面，BA80JC5T经过严格测试，具备一定的抗静电放电（ESD）能力，减少了在装配和使用过程中因静电损伤而导致失效的风险。总体而言，这款MOSFET以其紧凑的尺寸、稳定的性能和广泛的适用性，成为许多嵌入式系统和便携设备中理想的开关解决方案。
BA80JC5T广泛应用于各类需要小型化、低功耗开关控制的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关、LED背光驱动电路、电池供电设备的负载切换控制、传感器信号通断管理以及微控制器输出扩展等。此外，它也适用于工业自动化中的小型执行机构驱动、通信模块的电源选通控制以及家用电器中的状态指示灯控制电路。由于其具备一定的电压和电流承受能力，还可用于DC-DC升压或降压转换器中的同步整流或低端开关角色，尤其在低电流输出的辅助电源设计中表现良好。
SI2302DS
FDC6300L
ZXMP60A13E
