KTC9018-G 时间：2025/12/28 15:05:48 阅读：10

KTC9018-G是一款NPN型高频晶体管，主要用于射频（RF）和中频（IF）放大器应用。该器件采用先进的硅外延平面技术制造，具有优良的高频性能和稳定的热特性。KTC9018-G广泛应用于通信设备、射频模块、接收器前端以及各类高频信号放大器中。其封装形式为TO-92，便于在各类电路板上安装和使用。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　过渡频率（fT）：100MHz（典型值）
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92

特性

KTC9018-G具备出色的高频放大性能，适用于射频和中频放大器设计。
　　其NPN结构提供了良好的电流放大系数（β），可在广泛的频率范围内保持稳定的工作特性。
　　该晶体管具有较低的噪声系数，适合用于高灵敏度接收器的前端放大电路。
　　热稳定性优良，能够在较高温度环境下可靠运行。
　　KTC9018-G的TO-92封装形式便于手工焊接和自动化装配，广泛适用于各种电子设备的制造。
　　此外，该器件的低成本和高可靠性使其成为许多通用高频放大应用的理想选择。

应用

KTC9018-G主要用于射频和中频信号放大器，如无线通信设备中的接收和发射电路。
　　它也适用于调频收音机、电视调谐器、无线遥控器和各类射频识别（RFID）设备。
　　在音频放大电路中，KTC9018-G也可作为前置放大器使用，提供良好的增益和频率响应。
　　此外，该晶体管还常用于各类电子测量仪器、信号发生器和测试设备中的高频电路设计。