LMBT918LT1G 时间：2025/8/14 1:42:35 阅读：27

LMBT918LT1G是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极性晶体管（BJT），封装形式为SOT-23，适用于通用开关和放大应用。该晶体管具有高增益和低饱和电压的特点，适合在中等功率条件下工作。由于其紧凑的封装和可靠的性能，LMBT918LT1G广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统和通信设备中。

参数

晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大发射极-基极电压：5V
　　最大基极电流：5mA
　　最大功耗：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110 @ 2mA, VCE = 5V
　　过渡频率：100MHz
　　饱和电压（VCE(sat)）：0.2V @ IC = 100mA

特性

LMBT918LT1G具备出色的电流增益性能，在典型工作条件下，hFE值可达到110以上，确保了晶体管在放大电路中的高效工作。
　　该晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，使其能够在中等功率条件下稳定运行。
　　其过渡频率（fT）为100MHz，适合高频开关和放大应用。
　　LMBT918LT1G采用了SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。　　此外，LMBT918LT1G具有良好的热稳定性和可靠性，能够在广泛的温度范围内工作，适用于工业级应用。

应用

LMBT918LT1G主要用于通用开关和放大电路，如音频放大器、信号调理电路和数字逻辑电路中的驱动元件。
　　在消费类电子产品中，例如电视机、音响设备和家用电器中，该晶体管可用于信号放大和控制电路。
　　在工业控制系统中，它常用于继电器驱动、传感器接口和电源管理模块。
　　通信设备中，LMBT918LT1G可应用于射频放大和数据传输电路。
　　此外，它也适用于电池供电设备，因为其低功耗特性有助于延长设备的续航时间。