时间：2025/5/29 10:26:02
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MT15N1R8B500CT 是一款由 Microchip 推出的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，适用于多种功率转换和开关应用。该器件采用 TO-220 封装形式，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，广泛用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
其设计重点在于提供卓越的开关性能和耐用性，能够承受高电压和大电流负载，同时具备快速开关速度以减少能量损耗。
最大漏源极电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1670pF
最大功耗：195W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
MT15N1R8B500CT 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：其 500V 的额定电压使其适合高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻：仅为 0.18Ω（典型值），可显著降低传导损耗，提升整体效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（45nC）确保了更快的开关速度，从而减少开关损耗。
4. 热稳定性强：采用 TO-220 封装，散热性能优越，能有效应对高温工作条件。
5. 广泛的工作温度范围：从 -55℃ 到 +150℃，适应各种恶劣环境。
6. 可靠性高：通过严格的测试和验证流程，保证在长期使用中的稳定性和耐用性。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关元件，用于 AC/DC 和 DC/DC 转换电路中。
2. 电机驱动：控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 工业自动化：用于变频器、伺服驱动器和其他工业控制设备。
4. 照明系统：如 LED 驱动器和荧光灯电子镇流器。
5. 充电器：用于笔记本电脑、手机等便携式设备的充电模块。
6. 继电器替代：用作固态继电器，实现更长寿命和更高可靠性。
IRF540N
FQP16N50
STP15NF50
