时间：2025/9/14 23:50:05
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PSMN5R5-60YS,115 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻、优异的热性能和高可靠性。PSMN5R5-60YS,115主要用于中高功率应用，如DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制、负载开关以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：LFPAK56（也称为Power-SO8）
安装类型：表面贴装
功耗（Ptot）：94W
封装类型：增强型
PSMN5R5-60YS,115 的核心优势在于其极低的导通电阻，确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提升系统效率并减少散热需求。该MOSFET采用LFPAK56封装，具有良好的热管理性能，能够有效传导热量并提升整体可靠性。该封装还具备较小的封装尺寸，适用于空间受限的应用场景。
此外，PSMN5R5-60YS,115 具有高雪崩能量耐受能力，增强了在电压瞬变或负载突变情况下的稳定性与安全性。该器件的栅极驱动电压范围宽，可在4.5V至20V之间正常工作，使其兼容多种驱动电路，包括常见的12V和5V逻辑电平驱动器。
该MOSFET的制造工艺采用了Nexperia的高性能Trench MOS技术，确保了器件在高频开关应用中的优异性能，降低了开关损耗，并提高了整体系统效率。其高可靠性设计使其适用于汽车电子、工业控制和高要求的消费类电子设备。
PSMN5R5-60YS,115 适用于多种高功率和高效率需求的电路设计，包括但不限于以下领域：
1. 电源转换器：如同步降压（Buck）和升压（Boost）转换器，用于提高效率并减少热损耗。
2. 电池管理系统：用于电动工具、电动自行车、储能系统等设备中的高效充放电控制。
3. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）控制、伺服电机驱动等工业自动化应用。
4. 汽车电子：如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、起停系统、电动助力转向系统等。
5. 负载开关与电源管理模块：用于智能电源管理、服务器电源、通信设备电源等高可靠性系统中。
IRF1405, SiR142DP, PSMN5R5-60YLC
