时间：2025/5/10 10:34:38
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BSC076N06NS3 G是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了TRENCHSTOP?技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于要求高效能、高频开关的应用场景。其封装形式为TO-Leadless (TOLL)，是一种紧凑型无引脚封装，有助于节省PCB空间并提高热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：76A
导通电阻：1.4mΩ（典型值，@VGS=10V）
栅极电荷：89nC（典型值）
输入电容：2560pF（典型值）
反向恢复时间：27ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至175℃
BSC076N06NS3 G的主要特点是低导通电阻，这使得它在功率转换应用中能够降低传导损耗，提高效率。此外，该器件还具备快速的开关速度和较低的栅极电荷，这有助于减少开关损耗。
TOLL封装设计增强了散热性能，并提供了出色的电气连接可靠性。同时，由于其较高的工作温度范围，这款MOSFET适用于恶劣环境下的工业及汽车应用。
另外，该产品符合RoHS标准，满足环保要求。
BSC076N06NS3 G适用于多种功率电子应用领域，包括但不限于DC-DC转换器、电机驱动、不间断电源(UPS)系统、逆变器以及电池管理系统(BMS)等。其高效的开关性能特别适合于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的牵引逆变器模块和车载充电器。此外，在太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关的电力转换设备中也有广泛应用。
BSC074N06NS3 G, BSC068N06NS3 G
