时间：2025/6/28 10:53:11
阅读：8
PSMN5R0-80BS 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），属于英飞凌 Technologies 的 PSMN 系列。该器件采用 TOLL 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于高效率开关应用，例如 DC/DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。
PSMN5R0-80BS 的设计注重优化静态和动态性能，使其能够在高频开关场景中保持高效运行，并提供出色的热性能表现。
型号：PSMN5R0-80BS
类型：N沟道 MOSFET
封装：TOLL
最大漏源电压 (Vds)：80V
连续漏极电流 (Id)：124A
导通电阻 (Rds(on))：5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷 (Qg)：93nC（典型值）
输入电容 (Ciss)：3630pF（典型值）
总耗散功率 (Ptot)：247W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
PSMN5R0-80BS 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 124A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 较小的封装体积与良好的散热性能相结合，使该器件非常适合空间受限的设计。
4. 快速开关速度，降低开关损耗，适合高频开关电源和逆变器等应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 工作温度范围宽广，能够适应各种恶劣环境条件。
PSMN5R0-80BS 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电动车辆中的电机控制和电池管理系统。
3. 工业自动化设备中的负载开关和电源管理。
4. 通信设备中的高效功率转换模块。
5. 各类消费类电子产品的电源适配器和充电器。
由于其优异的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 在许多高性能应用中表现出色。
PSMN4R0-80BSX, PSMN3R0-80BS
