SKR2F50/18 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET,主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的STripFET?技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和优异的热性能,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):500V
漏极电流(ID):18A(在25°C)
RDS(on):0.22Ω(最大值)
栅极电荷(Qg):35nC
封装:TO-220
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
功率耗散(PD):50W
栅极-源极电压(VGS):±30V
SKR2F50/18 MOSFET采用先进的STripFET技术,具有极低的导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了能效。其高耐压特性使其适用于高电压输入的电源系统,如AC-DC转换器和工业电机驱动器。此外,该器件的封装设计提供了良好的散热性能,能够在高电流条件下稳定运行。
该MOSFET还具有优异的雪崩能量耐受能力,增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。其栅极驱动特性优化,减少了开关损耗,适合高频开关应用。同时,TO-220封装便于安装和散热设计,广泛应用于各种电源管理场合。
SKR2F50/18主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制电路
4. 工业自动化设备
5. 逆变器和UPS系统
6. 高压LED照明驱动器
7. 电池管理系统
8. 功率因数校正(PFC)电路
STF18N50M5, IRFPE50, FDPF50N180