SKR2F50/18 时间：2025/8/23 5:17:08 阅读：17

SKR2F50/18 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的STripFET?技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和优异的热性能，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：18A（在25°C）
　　RDS(on)：0.22Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：35nC
　　封装：TO-220
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（PD）：50W
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V

特性

SKR2F50/18 MOSFET采用先进的STripFET技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。其高耐压特性使其适用于高电压输入的电源系统，如AC-DC转换器和工业电机驱动器。此外，该器件的封装设计提供了良好的散热性能，能够在高电流条件下稳定运行。
　　该MOSFET还具有优异的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。其栅极驱动特性优化，减少了开关损耗，适合高频开关应用。同时，TO-220封装便于安装和散热设计，广泛应用于各种电源管理场合。