时间：2025/9/15 1:35:19
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PSMN4R4-80PS是一款由Nexperia（安世半导体）生产的功率MOSFET器件，采用TSSOP8封装。该器件主要用于电源管理和功率开关应用，具备较高的电流处理能力和较低的导通电阻，适用于高效能电源转换器、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用。PSMN4R4-80PS的命名中，“PSM”表示产品系列，“N4R4”代表导通电阻等级，“80”表示最大漏极电压为80V，“PS”表示封装类型。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds)：80V
最大源极电流(Id)：4.4A
导通电阻(Rds(on))：4.4mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th))：1V~2.5V
最大功耗(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP8
PSMN4R4-80PS是一款高性能功率MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件采用TSSOP8封装，具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的高密度电路设计。此外，该器件具备较高的热稳定性和良好的开关性能，适合高频开关应用。
PSMN4R4-80PS在栅极驱动电压为10V时，导通电阻仅为4.4mΩ，这有助于降低导通损耗并提升功率转换效率。其栅极阈值电压范围为1V~2.5V，使得该器件适用于多种控制电路设计，包括逻辑电平控制。
该MOSFET在高电流条件下仍能保持稳定工作，最大源极电流可达4.4A，适用于中等功率的DC-DC转换器、负载开关和电源管理模块。同时，其工作温度范围广泛（-55°C至150°C），可适应各种严苛的工作环境，如工业自动化、汽车电子和便携式设备等应用场景。
PSMN4R4-80PS广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源管理IC外围电路、便携式电子设备以及工业自动化设备等。其低导通电阻和小封装尺寸的特性使其成为高效率、高集成度电源系统的理想选择。
PSMN5R8-80PS, PSMN2R0-80PS, BUK9M5H-80B
