IXZ318N50 时间：2025/8/5 15:58:46 阅读：25

IXZ318N50 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的高电压、高电流能力的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的电源转换应用而设计，例如在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化系统中广泛应用。IXZ318N50 采用先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻和快速的开关特性，从而减少了导通和开关损耗。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：18A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
　　功率耗散（Ptot）：94W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-247
　　技术：沟槽式MOSFET

特性

IXZ318N50 拥有低导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其高电压额定值（500V）和相对较高的漏极电流能力（18A）使其适用于中高功率应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供优异的开关性能，从而减少了开关损耗。
　　此外，IXZ318N50 具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。它的TO-247封装形式具有良好的散热性能，适用于需要高功率散热的电路设计。该MOSFET还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并降低驱动损耗。
　　此器件还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，提高了系统的安全性和可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（通常在10V至20V之间），适用于多种驱动电路设计。

应用

IXZ318N50 主要用于各种高功率电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动和工业自动化控制系统。其高耐压和较高的电流能力使其非常适合用于AC-DC转换器的主开关管或同步整流管。
　　在太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电设备等新能源应用中，IXZ318N50 也可用于功率因数校正（PFC）电路或DC-AC逆变电路。此外，它还广泛应用于LED照明驱动、家电变频器以及工业电机控制等领域。
　　由于其良好的开关性能和热管理能力，IXZ318N50 也适用于高频开关电路，能够有效减少磁性元件的体积，提高电源系统的功率密度。