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SSP12N06 发布时间 时间:2025/8/25 5:53:31 查看 阅读:15

SSP12N06是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电流和高效率的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,使其适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和电源开关等多种电子系统。SSP12N06采用常见的TO-252(DPAK)封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大漏极电流(ID):12A
  导通电阻(RDS(on)):≤ 0.025Ω(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):1V~2.5V
  最大栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C~150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

SSP12N06具备一系列高性能特性,使其在电源管理和功率转换应用中表现出色。首先,该MOSFET的低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率。其次,其60V的最大漏源电压能力允许在中高压电路中使用,如电池供电设备、电源适配器和DC-DC转换器。
  此外,SSP12N06具有高电流承载能力,额定漏极电流可达12A,适用于需要高功率密度的电子系统。该器件还具备良好的热稳定性,TO-252封装设计有助于散热,确保在高负载条件下仍能稳定运行。
  其栅极驱动电压范围较宽,支持1V至2.5V的栅极阈值电压,兼容多种控制电路,包括微控制器和专用电源管理IC。这种灵活性使得SSP12N06能够广泛应用于不同的控制方案中。
  同时,该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,可承受瞬态过电压和电流冲击,提升系统可靠性和寿命。

应用

SSP12N06广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于:
  ? DC-DC降压/升压转换器
  ? 电池管理系统(BMS)
  ? 电机驱动器和风扇控制电路
  ? 电源开关和负载开关
  ? 电源适配器和充电器
  ? 工业自动化设备和智能控制系统
  ? 汽车电子系统(如车载充电器和电动工具)
  ? 家用电器中的电源控制模块

替代型号

IRFZ44N, STP12NK60Z, FQP12N60C, NTD12N06LT4G

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