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HM628512BLTT-7SL 发布时间 时间:2025/9/7 3:58:23 查看 阅读:7

HM628512BLTT-7SL 是由 Hitachi(现为 Renesas)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高速CMOS SRAM,适用于需要快速数据存取的应用场景。其存储容量为512K位(64K x 8),采用常见的CMOS技术制造,以确保低功耗和高可靠性。该封装为TSOP(薄型小外形封装),适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及其他需要高速缓存或临时数据存储的电子系统。

参数

容量:512K位(64K x 8)
  组织方式:x8
  电源电压:3.3V
  访问时间:7ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  最大工作频率:约143MHz(基于访问时间计算)
  功耗:典型值为180mA(工作模式)

特性

HM628512BLTT-7SL 是一款高性能SRAM芯片,采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗和高速存取能力。其7ns的访问时间使其适用于高速缓存和实时数据处理应用。该芯片支持异步操作,无需时钟信号控制,简化了系统设计。此外,它支持低待机电流,适合需要节能的系统。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并提高散热性能。该芯片的可靠性和稳定性使其广泛应用于工业自动化、通信设备、测试仪器等领域。
  该SRAM芯片还具备宽工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种严苛环境下的应用。其高抗噪能力确保在复杂电磁环境中仍能稳定运行。此外,它支持多种控制信号(如CE、OE、WE),便于与各种主控芯片进行接口连接,增强了系统兼容性。

应用

HM628512BLTT-7SL 主要用于需要高速数据存取的场合,例如嵌入式系统的高速缓存、网络设备的数据缓冲、工业控制系统的临时存储、测试测量仪器的数据存储、便携式电子设备的临时内存扩展等。由于其低功耗和高速特性,它也常用于手持设备和电池供电系统中,以延长电池寿命并提升系统响应速度。

替代型号

CY62148EVLL-70ZSXC, IS62WV5128BLL-7TLI, A62F5128N-7S

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