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IS43TR16640BL-125KBLI 发布时间 时间:2025/9/1 15:35:48 查看 阅读:7

IS43TR16640BL-125KBLI 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速度的特点,适用于对数据存储速度和稳定性要求较高的应用场景。该SRAM的存储容量为16Mbit(1M x 16),采用异步接口,能够与多种控制器和处理器无缝兼容。

参数

容量:16Mbit
  组织方式:1M x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间:125MHz
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  工作模式:异步
  数据输入/输出方式:并行
  引脚数:54

特性

IS43TR16640BL-125KBLI 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片,广泛应用于工业自动化、网络设备、通信系统和嵌入式系统中。其16Mbit的存储容量(1M x 16)提供了足够的数据缓存空间,适用于需要快速随机访问的场合。芯片的工作电压为3.3V,具备良好的功耗控制能力,在待机模式下功耗极低,非常适合对能耗敏感的应用场景。
  该芯片的访问时间为125MHz,能够在高速数据处理环境中保持稳定性能。其采用TSOP封装,具有良好的热稳定性和空间利用率,适合紧凑型PCB布局。IS43TR16640BL-125KBLI支持异步操作模式,无需时钟同步信号,简化了系统设计,同时提高了与不同控制器之间的兼容性。此外,该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),确保其在恶劣环境下的稳定运行。

应用

IS43TR16640BL-125KBLI 适用于多种高性能存储需求场景。在工业自动化领域,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机和自动化测试设备中的数据缓存和临时存储。在网络设备中,如交换机和路由器,它可作为高速缓冲存储器,用于提升数据转发效率和处理能力。在通信系统中,该芯片可用于基站设备、无线接入点和传输设备中的数据暂存和队列管理模块。此外,在嵌入式系统中,如医疗设备、安防监控设备和智能仪表,该芯片也可作为主存储器或辅助存储器使用。由于其工业级温度范围和高可靠性,IS43TR16640BL-125KBLI也非常适合用于航空航天、国防电子等对环境适应性和稳定性要求极高的领域。

替代型号

IS43TR16640B-125KBLI, IS43TR16640BL-100KBLI, CY7C1360BV33-125BZS, IDT71V416SA125B

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IS43TR16640BL-125KBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)