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BAS21_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/15 3:40:29 查看 阅读:15

BAS21_R1_00001 是由 ROHM(罗姆)公司生产的一款通用硅开关二极管。该器件主要用于高频开关应用,适用于各种电子设备中的信号处理和整流任务。BAS21系列二极管具有快速恢复时间、低正向压降和高可靠性等特点,适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等广泛的应用领域。BAS21_R1_00001 采用紧凑的SOD-123表面贴装封装,适合自动化装配和高密度PCB设计。

参数

类型:开关二极管
  最大重复峰值反向电压:100V
  最大平均整流电流:100mA
  峰值浪涌电流:1A
  正向压降(IF=10mA):1.25V(最大)
  反向电流(VR=100V):100nA(最大)
  恢复时间:4ns(最大)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:SOD-123

特性

BAS21_R1_00001 开关二极管具有多个显著的电气和物理特性,使其在多种应用中表现出色。
  首先,其最大重复峰值反向电压为100V,能够承受较高的反向电压应力,适合用于中高压电路中的开关和整流应用。该特性保证了在复杂电磁环境中器件的稳定性和可靠性。
  其次,该二极管的最大平均整流电流为100mA,适用于低功耗的信号处理电路。尽管其额定电流不高,但由于其快速恢复时间(最大4ns),因此非常适合高频开关应用,例如数字逻辑电路、高频整流和脉冲电路等。
  正向压降在10mA电流下最大为1.25V,这在同类二极管中属于较低水平,有助于降低功耗并提高能效。同时,反向漏电流在100V反向电压下最大为100nA,表明该器件在高阻断电压下仍保持良好的反向绝缘性能,适合用于对漏电流敏感的电路中。
  此外,BAS21_R1_00001 采用SOD-123封装,尺寸小巧,便于在高密度PCB上布局,且支持表面贴装工艺,提高了生产效率和装配自动化程度。该封装还具备良好的热稳定性和机械强度,确保在各种工作环境下器件的长期可靠性。
  器件的工作温度范围为-55℃至+150℃,满足工业级温度要求,适用于严苛环境下的电子系统,如工业自动化、汽车电子和通信基础设施等。

应用

BAS21_R1_00001 主要用于以下几类应用场景:
  在工业控制领域,该二极管常用于PLC(可编程逻辑控制器)和自动化设备中的信号隔离和整流电路。由于其快速恢复时间和低正向压降,非常适合用于高频信号处理和电源转换电路。
  在通信设备中,BAS21_R1_00001 可用于射频(RF)前端电路、数据通信接口的保护电路以及高速信号路径中的开关控制。其低反向漏电流和快速响应特性使其在高速数据传输系统中表现出色,有助于提升系统的稳定性和传输效率。
  在消费类电子产品中,例如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备,该二极管常用于电源管理模块和接口保护电路。其SOD-123封装适合小型化设计,并能有效节省PCB空间。
  此外,在汽车电子系统中,该器件可用于车载导航、娱乐系统和车载充电器等模块,满足汽车工作环境下的温度和可靠性要求。其抗静电能力和稳定性也使其适用于需要较高环境适应性的场合。

替代型号

1N4148WS-7-F, BAS16, 1N4448

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BAS21_R1_00001参数

  • 现有数量10,369现货
  • 价格1 : ¥1.03000剪切带(CT)3,000 : ¥0.18794卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1 V @ 100 mA
  • 速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr)50 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容1.5pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C