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2N7002CK,215 发布时间 时间:2025/7/17 20:02:46 查看 阅读:3

2N7002CK,215 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,广泛用于低电压和中等功率应用中。该器件采用 SOT-23 封装,适合用于开关和放大电路中。由于其高性能和小封装,2N7002CK,215 常用于通信设备、电源管理和工业控制等领域的电路设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):100 mA
  漏极-源极击穿电压(VDS):60 V
  栅极-源极电压(VGS):±20 V
  导通电阻(RDS(on)):最大 5 欧姆(在 VGS=10V 时)
  功耗(PD):300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装:SOT-23

特性

2N7002CK,215 具有以下几个显著特性:
  1. **高耐压性**:该器件的漏极-源极击穿电压为 60 V,能够承受较高的电压应力,适用于需要高电压耐受能力的电路设计。
  2. **低导通电阻**:在 VGS=10V 时,RDS(on) 最大值为 5 欧姆,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  3. **宽栅极-源极电压范围**:±20 V 的 VGS 范围允许在各种驱动条件下稳定工作,同时提供了良好的栅极保护。
  4. **小型封装**:SOT-23 封装不仅节省空间,还便于表面贴装工艺,适合高密度 PCB 设计。
  5. **高可靠性**:该器件的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,适应各种恶劣环境,确保长期稳定运行。
  6. **低功耗设计**:最大功耗为 300 mW,适合低功耗应用,同时减少了散热需求。
  这些特性使 2N7002CK,215 成为通用开关、负载控制和低功率放大器设计中的理想选择。

应用

2N7002CK,215 主要应用于以下几个方面:
  1. **电源管理**:用于小型电源系统中的开关元件,如 DC-DC 转换器、稳压电路和电池管理系统。
  2. **信号开关**:适用于低功率信号控制,如音频切换、数据线路控制和传感器接口。
  3. **电机控制**:在小型电机或继电器驱动电路中作为开关使用,提供高效的控制。
  4. **通信设备**:用于射频开关、信号放大和隔离电路中,提升通信系统的效率和稳定性。
  5. **工业自动化**:在 PLC 和工业控制系统中用于逻辑控制和负载驱动。
  6. **消费电子**:用于智能手机、平板电脑、智能手表等便携设备中的电源管理模块和信号控制电路。
  7. **汽车电子**:适用于车载电子系统中的传感器驱动、LED 照明控制和小型电机控制。

替代型号

2N7002K, 2N7002EK, BSS138, 2N3904

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2N7002CK,215参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds55pF @ 25V
  • 功率 - 最大350mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称568-5982-6