时间：2025/9/14 10:17:22
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PSMN4R3-30PL,127 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高效率电源转换和功率管理应用。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高功率密度，使其在开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等应用中表现出色。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：115 A
导通电阻（Rds(on)）：4.3 mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：Power-SO8
安装类型：表面贴装
引脚数：8
PSMN4R3-30PL,127 具有多个显著特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 4.3 mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了整体系统效率。在高电流应用中，如 DC-DC 转换器和电机驱动器，这一特性尤为重要。
其次，该 MOSFET 支持高达 115 A 的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定运行。其 30 V 的漏源电压额定值适用于多种低压功率转换应用，如电池管理系统、负载开关和同步整流器。
PSMN4R3-30PL,127 主要用于高性能电源管理系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。其高电流承载能力和低导通电阻也使其成为服务器电源、电信设备和工业自动化系统的理想选择。
在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用。其宽工作温度范围和高可靠性符合汽车行业对元器件的严格要求。
SiSS118DN-T1-GE3, SQJQ124EP-T1_GE3, IPP114N10N3 G
