类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1350V
　　最大漏极电流（Id）：30A
　　最大功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.24Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　封装：TO-247

KGT30N135NDH MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其高耐压能力（1350V Vds）使其能够在高压环境中可靠运行，适用于高压电源转换器和工业控制系统。其次，30A的最大漏极电流能力确保该器件能够处理较大的电流负载，适用于需要高电流输出的设备，如电机驱动器或逆变器。
　　此外，KGT30N135NDH的导通电阻较低（典型值0.24Ω），这有助于减少导通损耗，提高系统效率，从而降低整体功耗并减少散热需求。对于高功率应用而言，这种低Rds(on)特性可以显著提升系统性能并提高可靠性。
　　该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够有效散发高功率操作过程中产生的热量。这种封装形式也便于安装在散热片上，进一步增强其热管理能力。此外，其工作温度范围宽（-55°C至150°C），适应多种环境条件，确保在极端温度下依然稳定运行。
　　KGT30N135NDH还具有较高的栅极阈值电压（2V至4V），这意味着其驱动电路设计相对简单，易于与常见的控制IC配合使用。这对于需要高频开关操作的应用来说尤其重要，因为它可以减少开关损耗并提高系统的响应速度。
　　综合来看，KGT30N135NDH是一款高性能的高功率MOSFET，具备高压、大电流、低导通电阻和优良的热管理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。

KGT30N135NDH MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统中。其高压和高电流能力使其适用于电源转换器，如DC-DC转换器和AC-DC电源模块，可有效提高能源转换效率。此外，该器件还常用于电机驱动器和逆变器，适用于工业自动化设备和电动工具，确保设备在高负载条件下稳定运行。在不间断电源（UPS）系统中，KGT30N135NDH可用于高效的功率开关，以提供稳定的电力供应。它也适用于太阳能逆变器、电焊机和高频电源等需要高可靠性和高效能的电力电子设备。

IRGPC50K, FGA25N135N