时间：2025/9/15 2:19:42
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PSMN4R3-100PS 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高效率、高功率密度的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），适用于需要高电流和低损耗的开关应用。PSMN4R3-100PS 采用高性能的封装技术，具备良好的热性能和电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：200A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PowerSO-10
PSMN4R3-100PS 功率MOSFET采用了NXP先进的沟槽式MOSFET技术，这种技术能够有效降低导通电阻，从而减少导通损耗，提高系统效率。该器件具有极低的Rds(on)值（最大4.3mΩ），确保在高电流工作条件下，器件的功率损耗维持在较低水平。此外，PSMN4R3-100PS具有较高的电流承载能力，其最大连续漏极电流可达200A，这使得它非常适用于高功率密度的电源设计。
该MOSFET的封装设计提供了良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，同时具备较高的机械强度和可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持标准的10V驱动电压，也可在更高电压下运行，从而优化开关性能。PSMN4R3-100PS的开关速度快，能够有效减少开关损耗，提高系统的整体效率。
该器件还具备良好的短路耐受能力，可以在一定条件下承受过载和短路电流，增强系统的稳定性与安全性。同时，其封装设计符合RoHS标准，符合现代电子产品对环保的要求。
PSMN4R3-100PS 主要应用于需要高电流、低导通电阻和高效率的功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也适用于汽车电子系统中的高功率需求场景，如电动助力转向系统、车载充电器以及电池管理系统等。该MOSFET在服务器电源、电信设备和储能系统中也广泛使用，以满足对高效率和高可靠性电源转换的需求。
SiS100N10NM5C-T1-GE3, IPPB90N10S4-03, IPW60R004C7
