制造商: SK Hynix
　　产品类型: DRAM
　　存储容量: 8Gbit
　　组织方式: x16
　　封装类型: TSOP
　　工作电压: 1.2V - 1.5V
　　最大时钟频率: 400MHz
　　数据速率: 800Mbps
　　工作温度范围: -40°C ~ +85°C

H5TC8G63AMR-H9A DRAM芯片具有多项高性能和高可靠性特性。首先，其8Gbit的存储容量为现代高性能系统提供了充足的数据存储空间，适用于内存密集型应用。其次，该芯片采用x16的I/O组织方式，提高了数据吞吐能力，使得数据访问更加高效。此外，H5TC8G63AMR-H9A采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，具备良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型电子设备。该芯片的工作电压范围在1.2V至1.5V之间，支持低功耗运行，特别适用于对功耗敏感的应用场景。其最大时钟频率可达400MHz，支持800Mbps的数据速率，使得数据传输更加迅速。同时，其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种工业和商业环境下稳定运行。此外，该芯片具备高可靠性和长使用寿命，适用于需要长时间稳定工作的系统，如服务器、嵌入式设备和网络设备等。

H5TC8G63AMR-H9A 主要应用于高性能计算系统、服务器、工业自动化设备、通信设备、图形处理单元（GPU）、嵌入式系统以及需要高带宽内存的电子设备。由于其高速数据传输能力和低功耗设计，该芯片也广泛用于数据中心、企业级存储系统和高端消费电子产品中。在服务器和工作站环境中，H5TC8G63AMR-H9A能够提供足够的内存容量和速度，以支持多任务处理和大数据运算。在工业控制和自动化系统中，该芯片的宽温度范围和高可靠性使其能够适应各种复杂环境。此外，在网络设备和路由器中，它可作为缓存或主存使用，提升数据处理效率。

H5TC8G63AMR-PBA, H5TC8G63AMR-H9C, H5TC4G63AMR-H9A