PSMN4R1-60YLX 时间：2025/9/14 17:37:24 阅读：36

PSMN4R1-60YLX 是一款由恩智浦（NXP）半导体公司推出的高性能功率MOSFET器件，采用先进的Trench技术，旨在提供低导通电阻和高能效，适用于各种高频率开关应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具备优异的热性能和高可靠性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.1mΩ（最大值，VGS=10V）
　　封装类型：Power-SO8
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　功率耗散（PD）：60W
　　栅极电荷（Qg）：43nC（典型值，VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：2020pF（典型值）

特性

PSMN4R1-60YLX MOSFET采用了先进的Trench技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的低RDS(on)特性使其非常适合用于高电流应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗，从而提高高频应用中的性能。器件的封装形式为Power-SO8，具备良好的热管理能力，可以在高功率密度环境下稳定工作。
　　该器件的工作温度范围宽广，从-55℃到175℃，适用于各种严苛环境条件下的应用。其高可靠性设计使其在汽车电子、工业控制和电源管理系统中表现出色。
　　PSMN4R1-60YLX还具备优异的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供稳定的性能，避免因过压或过流导致的器件损坏。同时，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），可兼容多种驱动电路设计。

应用

PSMN4R1-60YLX广泛应用于多个高性能功率电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于高效DC-DC转换器、同步整流器和负载开关设计，特别是在需要高电流和低导通损耗的应用中表现突出。
　　在汽车电子系统中，该MOSFET适用于车载电源系统、电机驱动器和电池管理系统，其宽工作温度范围和高可靠性能够满足汽车环境的严苛要求。
　　此外，PSMN4R1-60YLX也适用于工业自动化设备、服务器电源和电信基础设施，提供高效的功率转换和稳定的运行性能。
　　由于其优异的导通和开关性能，该器件也被广泛用于电池供电设备、便携式电子产品和电机控制应用中，帮助实现更长的续航时间和更高的能效。