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PSMN4R1-60YLX 发布时间 时间:2025/9/14 17:37:24 查看 阅读:27

PSMN4R1-60YLX 是一款由恩智浦(NXP)半导体公司推出的高性能功率MOSFET器件,采用先进的Trench技术,旨在提供低导通电阻和高能效,适用于各种高频率开关应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET,具备优异的热性能和高可靠性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):120A(在Tc=25℃)
  导通电阻(RDS(on)):4.1mΩ(最大值,VGS=10V)
  封装类型:Power-SO8
  工作温度范围:-55℃至175℃
  功率耗散(PD):60W
  栅极电荷(Qg):43nC(典型值,VGS=10V)
  输入电容(Ciss):2020pF(典型值)

特性

PSMN4R1-60YLX MOSFET采用了先进的Trench技术,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统效率。该器件的低RDS(on)特性使其非常适合用于高电流应用,如DC-DC转换器和同步整流器。
  此外,该MOSFET具有较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),有助于降低开关损耗,从而提高高频应用中的性能。器件的封装形式为Power-SO8,具备良好的热管理能力,可以在高功率密度环境下稳定工作。
  该器件的工作温度范围宽广,从-55℃到175℃,适用于各种严苛环境条件下的应用。其高可靠性设计使其在汽车电子、工业控制和电源管理系统中表现出色。
  PSMN4R1-60YLX还具备优异的抗雪崩能力,能够在极端工作条件下提供稳定的性能,避免因过压或过流导致的器件损坏。同时,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±20V),可兼容多种驱动电路设计。

应用

PSMN4R1-60YLX广泛应用于多个高性能功率电子系统中。在电源管理领域,该器件常用于高效DC-DC转换器、同步整流器和负载开关设计,特别是在需要高电流和低导通损耗的应用中表现突出。
  在汽车电子系统中,该MOSFET适用于车载电源系统、电机驱动器和电池管理系统,其宽工作温度范围和高可靠性能够满足汽车环境的严苛要求。
  此外,PSMN4R1-60YLX也适用于工业自动化设备、服务器电源和电信基础设施,提供高效的功率转换和稳定的运行性能。
  由于其优异的导通和开关性能,该器件也被广泛用于电池供电设备、便携式电子产品和电机控制应用中,帮助实现更长的续航时间和更高的能效。

替代型号

SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, NexFET CSD17551Q5A

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PSMN4R1-60YLX参数

  • 现有数量1,500现货
  • 价格1 : ¥15.58000剪切带(CT)1,500 : ¥7.67256卷带(TR)
  • 系列TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.1 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)103 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7853 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)238W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669