时间：2025/6/9 17:51:40
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GA1210Y273MBLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和稳定性。
其封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装技术（SMT），并且具有出色的热性能表现，适合在严苛的工作环境中使用。
型号：GA1210Y273MBLAR31G
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：1.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
Id（持续漏极电流）：120A
Ptot（总功耗）：140W
封装：TO-252 (DPAK)
f_T（过渡频率）：2.5MHz
Vgs（栅源极电压范围）：-10V 至 +20V
Qg（栅极电荷）：25nC（最大值）
结温范围：-55°C 至 +175°C
GA1210Y273MBLAR31G 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流应用中减少导通损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频工作场景，适合现代高效能电源转换设计。
3. 强大的电流承载能力（Id = 120A），适用于大功率负载驱动。
4. 宽泛的工作电压范围（Vds = 60V），适应多种输入电压环境。
5. 小巧的 DPAK 封装，方便 PCB 布局设计且具备良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
7. 耐高温设计，最高结温可达 +175°C，确保在极端条件下稳定运行。
GA1210Y273MBLAR31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器和主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和 DC-DC 转换模块。
4. 工业自动化设备中的功率控制与保护电路。
5. LED 照明驱动器及高亮度 LED 控制。
6. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理单元。
7. 各类电池充电器及能源管理系统中的核心功率器件。
IRFZ44N
STP120NF60
FDP158N65A
AON6900
AO3400
