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IRL2910SPBF 发布时间 时间:2025/6/24 15:51:53 查看 阅读:10

IRL2910SPBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用SO-8封装形式。这款器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于直流电机驱动、负载开关、电源管理以及逆变器等场景中。
  该器件的主要特点是其优化的性能参数,使其非常适合要求高效能转换的应用场合。同时,其低导通电阻Rds(on)显著减少了传导损耗,从而提高了整体系统的效率。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏极电流:52A
  导通电阻(Rds(on)):3.6mΩ
  栅极阈值电压:1.7V
  最大功耗:237W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:SO-8

特性

IRL2910SPBF采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关特性,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩击穿能力,增强了器件在异常情况下的耐受性。
  4. SO-8封装提供良好的散热性能和电气连接可靠性。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应极端条件下的应用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范。

应用

IRL2910SPBF适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 直流无刷电机驱动电路。
  2. 开关电源中的同步整流。
  3. 负载开关及保护电路。
  4. 工业控制设备中的功率转换。
  5. 电池管理系统中的高侧或低侧开关。
  6. 汽车电子中的大电流切换控制。
  7. 各类逆变器和变换器模块。

替代型号

IRLZ44N
  IRFZ44N
  STP55NF06L

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IRL2910SPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C55A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 29A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3700pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL2910SPBF