时间：2025/9/14 15:08:13
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PSMN3R9-100YSFX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率、高功率密度的电源应用。该器件采用先进的 TrenchPlus? 技术，提供卓越的导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适用于服务器电源、电信电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：180A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：3.9mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：5.7mΩ
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：PowerSO-10
引脚数：10
PSMN3R9-100YSFX 采用 NXP 的 TrenchPlus? 技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件的低栅极电荷（Qg）和输出电容（Qoss）使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
此外，该MOSFET具有高雪崩能量能力，增强了器件在极端工作条件下的可靠性和耐用性。其封装形式 PowerSO-10 具有良好的热性能和电流承载能力，适用于高功率密度设计。
该器件还具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于苛刻的工业和通信应用环境。其栅极设计支持快速开关操作，有助于提高电源转换效率并减少电磁干扰（EMI）。
PSMN3R9-100YSFX 主要应用于高性能电源系统，包括服务器电源、电信整流器、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制电路和负载开关。其优异的导通特性和高频开关性能使其成为高效率电源转换系统的理想选择。
在服务器和通信设备中，该MOSFET可用于构建高效率的VRM（电压调节模块）和POL（负载点）电源系统。在工业控制和自动化设备中，PSMN3R9-100YSFX 可用于电机驱动、功率开关和负载管理。此外，它还可用于高功率 LED 驱动器和太阳能逆变器等新能源应用领域。
SiZ104DT, IRF1324S-7PPBF, BSC090N10NS5, FDS4410A, IPB095N10N3G
