时间：2025/5/10 9:18:34
阅读：12
PSMN3R5-80PS 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用小外形封装（SO-8）。该器件由 NXP Semiconductors 生产，广泛用于高效能开关应用中。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合于负载切换、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
PSMN3R5-80PS 的设计目标是提供高效率和良好的热性能，同时保持紧凑的封装尺寸，以适应空间受限的设计需求。
型号：PSMN3R5-80PS
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：SO-8
Vds（漏源极电压）：80V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：3.2mΩ
Id（连续漏极电流）：127A
栅极电荷（Qg，典型值）：65nC
总功耗：45W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PSMN3R5-80PS 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 10V 栅极驱动电压下仅为 3.2mΩ，有助于减少导通损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达 127A 的连续漏极电流。
3. 紧凑型 SO-8 封装，节省 PCB 空间。
4. 宽工作温度范围，适用于工业和汽车级环境。
5. 快速开关性能，适合高频应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
PSMN3R5-80PS 可应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的固态继电器。
6. 汽车电子系统中的大电流开关组件。
PSMN2R5-80PS, PSMN3R0-80PS, PSMN2R0-80PS
