CSD87352Q5D是德州仪器(TI)推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的功率级芯片,专为高频、高效能应用而设计。该器件采用了集成驱动器和FET的结构,具有高效率、小尺寸和快速开关的特点,适合用于同步降压转换器和其他高频功率转换电路。
通过将GaN FET与优化的栅极驱动器集成在一个小型封装中,CSD87352Q5D可以显著降低开关损耗并提高整体系统效率。
型号:CSD87352Q5D
类型:GaN功率级
工作电压:10V-60V
连续漏极电流:24A
RDS(on):9mΩ(典型值)
开关频率:高达2MHz
封装:QFN 8x8mm
工作温度范围:-40°C至125°C
热阻(结到壳):1°C/W
CSD87352Q5D采用增强型GaN技术,能够实现比传统硅MOSFET更高的开关速度和更低的导通电阻。其集成的驱动器经过优化,可有效减少寄生电感的影响,并提升系统的可靠性和稳定性。
此外,这款器件还具备出色的热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。它的紧凑封装使其非常适合空间受限的应用场景,同时支持高效的散热管理。
主要特点包括:
- 高效的GaN技术
- 内置优化驱动器
- 极低的RDS(on)
- 快速开关能力
- 减少电磁干扰的设计
- 强大的热性能
CSD87352Q5D广泛应用于需要高性能电源管理的领域,例如数据中心服务器电源、电信设备、工业自动化、电动汽车充电系统以及消费类电子产品的适配器。
具体应用包括:
- 同步降压转换器
- DC-DC转换模块
- 开关电源(SMPS)
- 能量存储系统
- 快速充电解决方案
由于其高频操作能力和高效率,CSD87352Q5D特别适合那些对尺寸和效率有严格要求的设计。
CSD87351Q5D
CSD87353Q5D