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CSD87352Q5D 发布时间 时间:2025/5/6 17:24:03 查看 阅读:18

CSD87352Q5D是德州仪器(TI)推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的功率级芯片,专为高频、高效能应用而设计。该器件采用了集成驱动器和FET的结构,具有高效率、小尺寸和快速开关的特点,适合用于同步降压转换器和其他高频功率转换电路。
  通过将GaN FET与优化的栅极驱动器集成在一个小型封装中,CSD87352Q5D可以显著降低开关损耗并提高整体系统效率。

参数

型号:CSD87352Q5D
  类型:GaN功率级
  工作电压:10V-60V
  连续漏极电流:24A
  RDS(on):9mΩ(典型值)
  开关频率:高达2MHz
  封装:QFN 8x8mm
  工作温度范围:-40°C至125°C
  热阻(结到壳):1°C/W

特性

CSD87352Q5D采用增强型GaN技术,能够实现比传统硅MOSFET更高的开关速度和更低的导通电阻。其集成的驱动器经过优化,可有效减少寄生电感的影响,并提升系统的可靠性和稳定性。
  此外,这款器件还具备出色的热性能,能够在高温环境下保持稳定运行。它的紧凑封装使其非常适合空间受限的应用场景,同时支持高效的散热管理。
  主要特点包括:
  - 高效的GaN技术
  - 内置优化驱动器
  - 极低的RDS(on)
  - 快速开关能力
  - 减少电磁干扰的设计
  - 强大的热性能

应用

CSD87352Q5D广泛应用于需要高性能电源管理的领域,例如数据中心服务器电源、电信设备、工业自动化、电动汽车充电系统以及消费类电子产品的适配器。
  具体应用包括:
  - 同步降压转换器
  - DC-DC转换模块
  - 开关电源(SMPS)
  - 能量存储系统
  - 快速充电解决方案
  由于其高频操作能力和高效率,CSD87352Q5D特别适合那些对尺寸和效率有严格要求的设计。

替代型号

CSD87351Q5D
  CSD87353Q5D

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CSD87352Q5D产品

CSD87352Q5D参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列NexFET™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.15V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 15V
  • 功率 - 最大8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-LDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-29161-6