时间：2025/9/14 13:02:01
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PSMN3R4-30PL,127 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于各种中高功率应用。其封装形式为D2PAK（TO-263）封装，具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：140A
导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：175W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
PSMN3R4-30PL,127 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为3.4毫欧，这使得该器件在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽（Trench）技术，提升了导通性能并优化了开关损耗，使其适用于高频开关电源和电机控制等应用。
该器件的连续漏极电流高达140A，具有出色的电流承载能力，适用于需要高功率密度的设计。其D2PAK封装具备良好的散热能力，有助于降低器件的工作温度，从而提升整体系统的可靠性和寿命。
PSMN3R4-30PL,127 的栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，同时其栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并降低驱动损耗。此外，该MOSFET的热阻（Rth）较低，可有效将热量传导至PCB或散热片，进一步提升器件的热管理性能。
在安全性和可靠性方面，该器件具备较高的短路耐受能力，并可在高达175°C的结温下正常工作，适用于高温环境下的工业和汽车应用。
PSMN3R4-30PL,127 常用于高性能电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也广泛应用于电动工具、电动车辆（如电动车和电动滑板车）的功率控制系统中。此外，在工业自动化、服务器电源、UPS（不间断电源）和电源管理模块中也常见其身影。
PSMN4R2-30PL,127; PSMN5R0-30PL,127
