时间：2025/6/30 14:12:01
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CDR31BP101BFWSAT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），主要用于高频、高效率的功率转换应用。该器件采用表面贴装封装，适合自动化生产，并提供出色的开关性能和热管理能力。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于电源适配器、快充设备以及通信基础设施中的功率转换模块。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：<20ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
CDR31BP101BFWSAT 具备以下特点：
1. 高开关频率：由于 GaN 技术的固有优势，该器件能够实现 MHz 级别的开关频率，从而减小无源元件尺寸并提升功率密度。
2. 超低导通电阻：仅为 7mΩ，显著降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能：极低的反向恢复时间和栅极电荷使得开关损耗降至最低。
4. 强大的散热能力：通过优化的封装设计，确保在高功率应用中具备良好的热稳定性。
5. 小型化封装：表面贴装形式使其非常适合空间受限的应用场景。
CDR31BP101BFWSAT 的典型应用场景包括：
1. USB-C/PD 快充适配器：
- 实现高效的小型化设计。
2. 开关电源（SMPS）：
- 在服务器电源、PC 电源等场合提供更高效率和功率密度。
3. 无线充电发射端：
- 提供高频谐振电路支持。
4. 通信基站功率放大器：
- 提升射频前端的能效。
5. 工业电机驱动：
- 用于高频 PWM 控制以减少电磁干扰。
CDR31BP100BFWSAT, CDR31BP120BFWSAT
