2SK1945 时间：2025/8/9 12:13:29 阅读：14

2SK1945是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子电路中。该器件具有较低的导通电阻、较高的开关速度和良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制和音频功率放大器等应用场景。2SK1945的封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），使其在散热性能和安装便捷性上都有良好的表现。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：40nC
　　输入电容（Ciss）：1200pF
　　封装形式：TO-220、TO-252

特性

2SK1945作为一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括优异的导通性能和快速的开关响应。其低导通电阻（RDS(ON)）确保了在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，2SK1945具备较高的栅极电荷容量，这使得其在高频开关应用中表现稳定，减少了开关损耗并提升了响应速度。
　　该器件的封装设计（TO-220或TO-252）有助于快速散热，防止在高功率工作时因过热而损坏。同时，2SK1945具有良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能，适合在恶劣环境中使用。
　　在电气特性方面，2SK1945的漏源电压为500V，可承受较高的电压应力，适用于多种高压应用场景。栅源电压的最大值为±30V，确保了在控制信号中的灵活性和稳定性。连续漏极电流为15A，能够满足大多数中高功率需求。

应用

2SK1945广泛应用于多种电力电子设备和系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和马达控制模块。其高电压和高电流的特性使其成为电源管理系统的理想选择，特别是在需要高效率和高可靠性的工业自动化设备中。此外，2SK1945也常用于音频功率放大器的输出级，以提供更高的输出功率和更低的失真。由于其优异的热性能，该器件还可用于需要长时间高负载运行的场合，如不间断电源（UPS）和光伏逆变器。